IXFM75N10 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXFM75N10
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 180 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO204

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXFM75N10

IXFM75N10 Datasheet (PDF)

..1. Size:94K ixys
ixfh67n10 ixfh75n10 ixfm67n10 ixfm75n10.pdf

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFH/IXFM 67 N10 100 V 67 A 25 mWPower MOSFETsIXFH/IXFM 75 N10 100 V 75 A 20 mWtrr 200 nsN-Channel Enhancement ModeHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 100 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 100 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25

9.1. Size:76K ixys
ixfh7n80 ixfm7n80.pdf

HiPerFETTM IXFH 7 N80 VDSS = 800 VPower MOSFETs IXFM 7 N80 ID (cont) = 7 ARDS(on) = 1.4 WN-Channel Enhancement Modetrr = 250 nsHigh dv/dt, Low trr, HDMOSTM FamilySymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 800 V(TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C7 ATO-204 AA (IXFM

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: