IXFM75N10 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFM75N10  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 300 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 75 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 60 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: TO204

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IXFM75N10 datasheet

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IXFM75N10

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IXFM75N10

HiPerFETTM IXFH 7 N80 VDSS = 800 V Power MOSFETs IXFM 7 N80 ID (cont) = 7 A RDS(on) = 1.4 W N-Channel Enhancement Mode trr = 250 ns High dv/dt, Low trr, HDMOSTM Family Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXFH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 800 V (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C7 A TO-204 AA (IXFM

Otros transistores... IXFM24N50, IXFM35N30, IXFM40N30, IXFM42N20, IXFM50N20, IXFM67N10, IXFM6N100, IXFM6N90, AO3407, IXFM7N80, IXFN100N25, IXFN106N20, IXFN110N20, IXFN120N20, IXFN130N30, IXFN150N15, IXFN170N10