STD16N60M2 Todos los transistores

 

STD16N60M2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD16N60M2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD16N60M2 Datasheet (PDF)

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STD16N60M2

STD16N60M2 N-channel 600 V, 0.280 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD16N60M2 600 V 0.320 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applications D(

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STD16N60M2

STD16N65M2N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDTABSTD16N65M2 710 V 0.36 11 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protectedDPAKApplications Switching applicationsFig

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STD16N60M2

STD16N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.230 typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS at Tjmax. RDS(on) max. IDOrder codesTABSTD16N65M5 710 V 0.279 12 A321 Extremely low RDS(on)DPAK Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceD(2, TAB) 100% avalanche testedApplications Switching applications

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STD16N60M2

STB16N65M5STD16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max.STB16N65M5710 V

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History: NTB90N02 | IRFS3107-7P | WTK9435

 

 
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