STD16N60M2 Todos los transistores

 

STD16N60M2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD16N60M2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.32 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD16N60M2 datasheet

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STD16N60M2

STD16N60M2 N-channel 600 V, 0.280 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) D STD16N60M2 600 V 0.320 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1 Internal schematic diagram Applications D(

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STD16N60M2

STD16N65M2 N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code VDS @ TJmax RDS(on) max ID TAB STD16N65M2 710 V 0.36 11 A Extremely low gate charge 3 2 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protected DPAK Applications Switching applications Fig

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STD16N60M2

STD16N65M5 Datasheet N-channel 650 V, 0.230 typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in a DPAK package Features VDS at Tjmax. RDS(on) max. ID Order codes TAB STD16N65M5 710 V 0.279 12 A 3 2 1 Extremely low RDS(on) DPAK Low gate charge and input capacitance Excellent switching performance D(2, TAB) 100% avalanche tested Applications Switching applications

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STD16N60M2

STB16N65M5 STD16N65M5 N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFET in D PAK, DPAK Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max. STB16N65M5 710 V

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History: RU20P4C6 | IRF623FI | CS3410B4 | GPT09N50D | RU206B | AP4920GM-HF | 2SK1685

 

 

 

 

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