STD16N60M2 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STD16N60M2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD16N60M2
STD16N60M2 Datasheet (PDF)
std16n60m2.pdf

STD16N60M2 N-channel 600 V, 0.280 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD16N60M2 600 V 0.320 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applications D(
std16n65m2.pdf

STD16N65M2N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDTABSTD16N65M2 710 V 0.36 11 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protectedDPAKApplications Switching applicationsFig
std16n65m5.pdf

STD16N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.230 typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS at Tjmax. RDS(on) max. IDOrder codesTABSTD16N65M5 710 V 0.279 12 A321 Extremely low RDS(on)DPAK Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceD(2, TAB) 100% avalanche testedApplications Switching applications
stb16n65m5 std16n65m5.pdf

STB16N65M5STD16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max.STB16N65M5710 V
Другие MOSFET... STD13N60M2 , STD13N65M2 , STD13NM60ND , STD150NH02L-1 , STD150NH02LT4 , STD15N65M5 , STD15NF10T4 , STD16N50M2 , IRF530 , STD16N65M2 , STD16NF06L-1 , STD16NF06LT4 , STD16NF06T4 , STD17NF03L-1 , STD17NF03LT4 , STD18N65M5 , STD19NF20 .
History: VBZJ12N06 | STD16NF06LT4 | NTB6413ANG
History: VBZJ12N06 | STD16NF06LT4 | NTB6413ANG



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014