Справочник MOSFET. STD16N60M2

 

STD16N60M2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD16N60M2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 9.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 38 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.32 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD16N60M2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:440K  st
 std16n60m2.pdf pdf_icon

STD16N60M2

STD16N60M2 N-channel 600 V, 0.280 typ., 12 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I DS DS(on) DSTD16N60M2 600 V 0.320 12 A Extremely low gate charge Excellent output capacitance (COSS) profile 100% avalanche tested Zener-protected Figure 1: Internal schematic diagram Applications D(

 7.1. Size:938K  st
 std16n65m2.pdf pdf_icon

STD16N60M2

STD16N65M2N-channel 650 V, 0.32 typ., 11 A MDmesh M2 Power MOSFET in a DPAK packageDatasheet - production dataFeaturesOrder code VDS @ TJmax RDS(on) max IDTABSTD16N65M2 710 V 0.36 11 A Extremely low gate charge32 Excellent output capacitance (Coss) profile 1 100% avalanche tested Zener-protectedDPAKApplications Switching applicationsFig

 7.2. Size:844K  st
 std16n65m5.pdf pdf_icon

STD16N60M2

STD16N65M5DatasheetN-channel 650 V, 0.230 typ., 12 A MDmesh M5 Power MOSFET in a DPAK packageFeaturesVDS at Tjmax. RDS(on) max. IDOrder codesTABSTD16N65M5 710 V 0.279 12 A321 Extremely low RDS(on)DPAK Low gate charge and input capacitance Excellent switching performanceD(2, TAB) 100% avalanche testedApplications Switching applications

 7.3. Size:1032K  st
 stb16n65m5 std16n65m5.pdf pdf_icon

STD16N60M2

STB16N65M5STD16N65M5N-channel 650 V, 0.270 , 12 A MDmesh V Power MOSFETin DPAK, DPAKFeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max.STB16N65M5710 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: FQS4900 | FDG6320C | NCEAP016N10LL | STB10NK60ZT4 | SI7413DN | BUK455-100B | SSF65R420S2

 

 
Back to Top

 


 
.