STD1NK60-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD1NK60-1
Código: D1NK60
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 1 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.7 V
Carga de la puerta (Qg): 7 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 23.5 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 8.5 Ohm
Paquete / Cubierta: IPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD1NK60-1
STD1NK60-1 Datasheet (PDF)
std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60-1 std1nk60t4 std1nk60 std1nk60-1 stq1hnk60r stn1hnk60.pdf
STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V
std1nk60t4.pdf
STD1NK60T4 N-channel 600 V, 7.3 typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD1NK60T4 600 V 8.5 1 A 30 W Extremely high dv/dt capability ESD improved capability 100% avalanche tested Gate charge minimized Figure 1: Internal schematic diagram Applications L
std1nk80z-1 std1nk80zt4 stq1nk80zr-ap.pdf
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V
stq1nk80zr-ap stn1nk80z std1nk80z std1nk80z-1.pdf
STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V
Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF540N , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: BSS123K2 | BRU26N50 | BRU24N50 | BRI7N65 | BRI7N60 | BRI740 | BRI65R380C | BRI5N65 | BRI50N06 | BRI4N70 | BRI2N70 | BRGN250N65YK | BRFL8N65 | BRFL7N65S | BRFL70R360C | BRFL65R380C