STD1NK60-1 Todos los transistores

 

STD1NK60-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD1NK60-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 23.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
 

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STD1NK60-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:424K  st
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STD1NK60-1

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

 ..2. Size:427K  st
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STD1NK60-1

STD1NK60 - STD1NK60-1STQ1HNK60R - STN1HNK60N-CHANNEL 600V - 8 - 1A DPAK/TO-92/IPAK/SOT-223SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD1NK60 600 V

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STD1NK60-1

STD1NK60T4 N-channel 600 V, 7.3 typ., 1 A SuperMESH Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features Order code V R max. I P DS DS(on) D TOTSTD1NK60T4 600 V 8.5 1 A 30 W Extremely high dv/dt capability ESD improved capability 100% avalanche tested Gate charge minimized Figure 1: Internal schematic diagram Applications L

 8.1. Size:625K  st
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STD1NK60-1

STQ1NK80ZR-AP - STN1NK80ZSTD1NK80Z - STD1NK80Z-1N-CHANNEL 800V - 13 - 1 A TO-92 /SOT-223/DPAK/IPAKZener - Protected SuperMESH MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID Pw2STQ1NK80ZR-AP 800 V

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History: JFAM20N60C | P6503NJ | MTP12N20

 

 
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