STD22NM20NT4 Todos los transistores

 

STD22NM20NT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD22NM20NT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD22NM20NT4 Datasheet (PDF)

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STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

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STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

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STD22NM20NT4

S T U/D2240NLS amHop Microelectronics C orp.Nov 22,2004N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S IDR DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.35@ VGS = 10V10A40VTO-252 and TO-251 Package.60@ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)SAB S

Otros transistores... STD1HNC60T4 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 , SKD502T , STD24N06L , STD24N06LT4G , STD25N10F7 , STD25NF10L , STD25NF10LT4 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , STD26P3LLH6 .

History: IXFP56N30X3

 

 
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