STD22NM20NT4 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD22NM20NT4  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD22NM20NT4 datasheet

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STD22NM20NT4

STD22NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STD22NM20N 200 V

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STD22NM20NT4

STD22NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STD22NM20N 200 V

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STD22NM20NT4

S T U/D2240NL S amHop Microelectronics C orp. Nov 22,2004 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ES S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 35@ VGS = 10V 10A 40V TO-252 and TO-251 Package. 60@ VGS =4.5V D D G S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK) S AB S

Otros transistores... STD1HNC60T4, STD1NK60-1, STD1NK60T4, STD1NK80Z-1, STD1NK80ZT4, STD20NF06LT4, STD20NF06T4, STD20NF10T4, 18N50, STD24N06L, STD24N06LT4G, STD25N10F7, STD25NF10L, STD25NF10LT4, STD25NF10T4, STD25NF20, STD26P3LLH6