STD22NM20NT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD22NM20NT4
   Código: D22NM20N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 22 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 32 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 330 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.105 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD22NM20NT4

STD22NM20NT4 Datasheet (PDF)

..1. Size:522K st
std22nm20nt4.pdf

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

4.1. Size:546K st
std22nm20n.pdf

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

9.1. Size:109K samhop
stu2240nl std2240nl.pdf

S T U/D2240NLS amHop Microelectronics C orp.Nov 22,2004N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S IDR DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.35@ VGS = 10V10A40VTO-252 and TO-251 Package.60@ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)SAB S

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CEB05N65 | BUZ80AFI

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: