Справочник MOSFET. STD22NM20NT4

 

STD22NM20NT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD22NM20NT4
   Маркировка: D22NM20N
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 32 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD22NM20NT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  st
 std22nm20nt4.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

 4.1. Size:546K  st
 std22nm20n.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

 9.1. Size:109K  samhop
 stu2240nl std2240nl.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

S T U/D2240NLS amHop Microelectronics C orp.Nov 22,2004N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S IDR DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.35@ VGS = 10V10A40VTO-252 and TO-251 Package.60@ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)SAB S

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


 
.