Справочник MOSFET. STD22NM20NT4

 

STD22NM20NT4 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STD22NM20NT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm
   Тип корпуса: DPAK

 Аналог (замена) для STD22NM20NT4

 

 

STD22NM20NT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:522K  st
 std22nm20nt4.pdf

STD22NM20NT4 STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

 4.1. Size:546K  st
 std22nm20n.pdf

STD22NM20NT4 STD22NM20NT4

STD22NM20NN-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAKULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) IDSTD22NM20N 200 V

 9.1. Size:109K  samhop
 stu2240nl std2240nl.pdf

STD22NM20NT4 STD22NM20NT4

S T U/D2240NLS amHop Microelectronics C orp.Nov 22,2004N-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESS uper high dense cell design for low R DS (ON).VDS S IDR DS (ON) ( m ) MaxR ugged and reliable.35@ VGS = 10V10A40VTO-252 and TO-251 Package.60@ VGS =4.5VDDGSGSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)SAB S

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top