STD22NM20NT4 - описание и поиск аналогов

 

STD22NM20NT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD22NM20NT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 22 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 330 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.105 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD22NM20NT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD22NM20NT4 даташит

 ..1. Size:522K  st
 std22nm20nt4.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

STD22NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STD22NM20N 200 V

 4.1. Size:546K  st
 std22nm20n.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

STD22NM20N N-CHANNEL 200V - 0.088 - 22A DPAK ULTRA LOW GATE CHARGE MDmesh II MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID STD22NM20N 200 V

 9.1. Size:109K  samhop
 stu2240nl std2240nl.pdf pdf_icon

STD22NM20NT4

S T U/D2240NL S amHop Microelectronics C orp. Nov 22,2004 N-Channel E nhancement Mode Field E ffect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ES S uper high dense cell design for low R DS (ON). VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max R ugged and reliable. 35@ VGS = 10V 10A 40V TO-252 and TO-251 Package. 60@ VGS =4.5V D D G S G STU SERIES STD SERIES TO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK) S AB S

Другие MOSFET... STD1HNC60T4 , STD1NK60-1 , STD1NK60T4 , STD1NK80Z-1 , STD1NK80ZT4 , STD20NF06LT4 , STD20NF06T4 , STD20NF10T4 , RFP50N06 , STD24N06L , STD24N06LT4G , STD25N10F7 , STD25NF10L , STD25NF10LT4 , STD25NF10T4 , STD25NF20 , STD26P3LLH6 .

History: SM2421PSAN | KX4N03W | STD17NF03LT4 | STP605D | MMBFJ211 | NDP06N60Z | NDF02N60ZG

 

 

 

 

↑ Back to Top
.