STD24N06LT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD24N06LT4G
Código: 24N6L
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 62.5 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 15 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 24 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
Carga de la puerta (Qg): 16 nC
Tiempo de subida (tr): 97 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 258 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.045 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD24N06LT4G
STD24N06LT4G Datasheet (PDF)
std24n06l std24n06lt4g.pdf
NTD24N06L, STD24N06LPower MOSFET24 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures24 AMPERES, 60 VOLTS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueRDS(on) = 0.036 W (Typ)Site and Control Change Requirements;
stu2455pls std2455pls.pdf
S TU/D2455P LSS amHop Microelectronics C orp.Dec 30, 2005P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESR DS (ON) ( m ) MaxVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R ugged and reliable.42 @ VGS =-10V-55V -24TO-252 and TO-251 Package.55 @ VGS = -4.5VDDGGSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)S
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