STD24N06LT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STD24N06LT4G
   Código: 24N6L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 16 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD24N06LT4G

STD24N06LT4G Datasheet (PDF)

..1. Size:112K onsemi
std24n06l std24n06lt4g.pdf

NTD24N06L, STD24N06LPower MOSFET24 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures24 AMPERES, 60 VOLTS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueRDS(on) = 0.036 W (Typ)Site and Control Change Requirements;

9.1. Size:104K samhop
stu2455pls std2455pls.pdf

S TU/D2455P LSS amHop Microelectronics C orp.Dec 30, 2005P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESR DS (ON) ( m ) MaxVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R ugged and reliable.42 @ VGS =-10V-55V -24TO-252 and TO-251 Package.55 @ VGS = -4.5VDDGGSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)S

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History: APM1110NUB | FDD8770 | VSE003N04MSC-G

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: