STD24N06LT4G Todos los transistores

 

STD24N06LT4G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD24N06LT4G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 62.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 97 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 258 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.045 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD24N06LT4G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:112K  onsemi
 std24n06l std24n06lt4g.pdf pdf_icon

STD24N06LT4G

NTD24N06L, STD24N06LPower MOSFET24 A, 60 V, Logic Level, N-Channel DPAKDesigned for low voltage, high speed switching applications inpower supplies, converters and power motor controls and bridgecircuits. http://onsemi.comFeatures24 AMPERES, 60 VOLTS S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring UniqueRDS(on) = 0.036 W (Typ)Site and Control Change Requirements;

 9.1. Size:104K  samhop
 stu2455pls std2455pls.pdf pdf_icon

STD24N06LT4G

S TU/D2455P LSS amHop Microelectronics C orp.Dec 30, 2005P-Channel E nhancement Mode Field E ffect TransistorPR ODUC T S UMMAR Y FEATUR ESR DS (ON) ( m ) MaxVDS S ID S uper high dense cell design for low R DS (ON).R ugged and reliable.42 @ VGS =-10V-55V -24TO-252 and TO-251 Package.55 @ VGS = -4.5VDDGGSSTU SERIES STD SERIESTO-252AA(D-PAK) TO-251(l-PAK)S

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CS15N70F | IRFZ24L | 2SK957-01 | 2SK1601 | NTD3055-094-1G | SRC7N65DTR

 

 
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