IXFN106N20 Todos los transistores

 

IXFN106N20 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN106N20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 520 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 106 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1600 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN106N20 datasheet

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IXFN106N20

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mW Power MOSFETs IXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mW IXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXFK) IXFK IXFN IXFN 90N20 100N20 106N20 VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 200 200 V G (TAB) VDGR TJ = 25 C t

 ..2. Size:112K  ixys
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IXFN106N20

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mW Power MOSFETs IXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mW IXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mW N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-264 AA (IXFK) IXFK IXFN IXFN 90N20 100N20 106N20 VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 200 200 V G (TAB) VDGR TJ = 25 C t

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 ixfn100n10s1-s2-s3.pdf pdf_icon

IXFN106N20

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 100N10S1 VDSS = 100 V IXFN 100N10S2 with Schottky Diodes ID25 = 100 A IXFN 100N10S3 RDS(on) = 15 m m I=_ =C==_ = =pjmpI=mc =C=j = = S2 QEaF QEaF S1 S3 QEaF PEhF NEdF NEdF NEdF PE^F OEpF OEpF OIPEpF Symbol Test Conditions Maximum Rati

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IXFN106N20

Advanced Technical Information HiPerFETTM IXFN 100N25 VDSS = 250 V ID25 = 100 A Power MOSFETs Single MOSFET Die RDS(on) = 27 mW trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) Symbol Test Conditions Maximum Ratings E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 250 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 250 V G VGS Continuous 20 V

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History: WPT2N32 | FTK830P | 2SK1446

 

 

 

 

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