Справочник MOSFET. IXFN106N20

 

IXFN106N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN106N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 520 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 106 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 380 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 80 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1600 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN106N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN106N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:111K  ixys
 ixfk90n20 ixfn100n20 ixfn106n20.pdf pdf_icon

IXFN106N20

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

 ..2. Size:112K  ixys
 ixfk100n20 ixfn90n20 ixfn106n20.pdf pdf_icon

IXFN106N20

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK 90 N 20 200 V 90 A 23 mWPower MOSFETsIXFN 100 N 20 200 V 100 A 23 mWIXFN 106 N 20 200 V 106 A 20 mWN-Channel Enhancement Modetrr 200 nsAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrTO-264 AASymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 AA (IXFK)IXFK IXFN IXFN90N20 100N20 106N20VDSS TJ = 25C to 150C 200 200 200 VG (TAB)VDGR TJ = 25C t

 8.1. Size:99K  ixys
 ixfn100n10s1-s2-s3.pdf pdf_icon

IXFN106N20

HiPerFETTM Power MOSFETs IXFN 100N10S1VDSS = 100 VIXFN 100N10S2with Schottky DiodesID25 = 100 AIXFN 100N10S3RDS(on) = 15 mm~~I=_=C==_=`~=pjmpI=mc`=C=j=`=`S2QEaFQEaFS1 S3QEaFPEhFNEdFNEdFNEdFPE^FOEpFOEpFOIPEpFSymbol Test Conditions Maximum Rati

 8.2. Size:70K  ixys
 ixfn100n25.pdf pdf_icon

IXFN106N20

Advanced Technical InformationHiPerFETTM IXFN 100N25 VDSS = 250 VID25 = 100 APower MOSFETsSingle MOSFET Die RDS(on) = 27 mWtrr 250 nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dt, Low trrminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)Symbol Test Conditions Maximum RatingsE153432VDSS TJ = 25C to 150C 250 VSVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 MW 250 VGVGS Continuous 20 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFM42N20 , IXFM50N20 , IXFM67N10 , IXFM6N100 , IXFM6N90 , IXFM75N10 , IXFM7N80 , IXFN100N25 , IRF520 , IXFN110N20 , IXFN120N20 , IXFN130N30 , IXFN150N15 , IXFN170N10 , IXFN180N07 , IXFN180N10 , IXFN180N20 .

 

 
Back to Top

 


 
.