STD25NF20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD25NF20

Código: 25NF20

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 110 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 18 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 28 nC

Tiempo de elevación (tr): 30 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 197 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.125 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD25NF20

STD25NF20 Datasheet (PDF)

1.1. std25nf20.pdf Size:842K _st

STD25NF20 Automotive-grade N-channel 200 V, 0.10 Ω typ., 18 A STripFET™ Power MOSFET in a DPAK package Datasheet - production data Features RDS(on) Order code VDS max ID PTOT STD25NF20 200 V 0.125 Ω 18 A 110 W TAB • Designed for automotive applications and 3 1 AEC-Q101 qualified DPAK • Extremely low gate charge • Exceptional dv/dt capability • Low gate input resis

3.1. std25nf10t4.pdf Size:395K _st

STD25NF10 N-channel 100V - 0.033Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD25NF10 100V < 0.038Ω 25A ■ Exceptional dv/dt capability 3 ■ Application oriented characterization 1 ■ 100% avalanche tested DPAK ■ Application oriented characterization Description This Power MOSFET series realized with STMicroelectronic

3.2. std25nf10l std25nf10lt4.pdf Size:426K _st

STD25NF10L N-channel 100V - 0.030Ω - 25A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD25NF10L 100V < 0.035Ω 25A ■ Exceptional dv/dt capability 3 ■ 100% avalanche tested 1 ■ Low threshold device DPAK ■ Logic level device Description This Power MOSFET series realized with STMicroelectronics unique STripFET process has sp

3.3. std25nf10.pdf Size:402K _st