STD2NK90ZT4 Todos los transistores

 

STD2NK90ZT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD2NK90ZT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.1 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 50 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
 

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STD2NK90ZT4 Datasheet (PDF)

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STD2NK90ZT4

STP2NK90Z - STD2NK90ZSTD2NK90Z-1N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax) 3312STD2NK90Z 900V

 ..2. Size:557K  st
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STD2NK90ZT4

STD2NK90Z-1, STD2NK90ZT4, STP2NK90ZDatasheetN-channel 900 V, 5 typ., 2.1 A SuperMESH Power MOSFETs in IPAK, DPAK and TO-220 packagesFeaturesTAB TAB32VDS RDS(on) max. IDOrder code Package132IPAK DPAK1STD2NK90Z-1 IPAKTAB STD2NK90ZT4 900 V 6.5 2.1 A DPAKSTP2NK90Z TO-220 Extremely high dv/dt capability3TO-220 21 100% avalanche tested Ga

 5.1. Size:598K  st
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STD2NK90ZT4

STP2NK90Z - STD2NK90ZSTD2NK90Z-1N-channel 900V - 5 - 2.1A - TO-220 /DPAK/IPAKZener-Protected SuperMESH MOSFETGeneral featuresVDSS Type RDS(on) ID PW(@Tjmax) 3312STD2NK90Z 900V

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STD2NK90ZT4

STD2NK70ZSTD2NK70Z-1N-channel 700V - 6 - 1.6 A - DPAK/IPAKZener protected SuperMESH Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) ID PwSTD2NK70Z 700V 7 1.6A 45WSTD2NK70Z-1 700V 7 1.6A 45W3321 Extremely high dv/dt capability1 ESD improved capabilityDPAKIPAK 100% avalanche tested New high voltage benchmark Gate charge minimizedDes

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History: NP82N04MDG | GP2M007A065XG | AP4501AGEM-HF | VP3203N3 | SPI21N50C3 | TSF4N90M | AP6N1R7CDT

 

 
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