STD3N80K5 Todos los transistores

 

STD3N80K5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD3N80K5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 14 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD3N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1589K  st
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdf pdf_icon

STD3N80K5

STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD3N80K5 60 WDPAKSTF3N80K5 20 W3800 V 3.5 2.5 A21TABSTP3N80K560 WTO-220FPSTU3N80K5TAB TO-220 worldwide bes

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdf pdf_icon

STD3N80K5

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdf pdf_icon

STD3N80K5

 9.3. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdf pdf_icon

STD3N80K5

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: DMN6040SSDQ | AM90N08-10B | IAUA200N04S5N010 | HM4843 | HGS060N06SL | OSG80R1K4AF | BUK456-60A

 

 
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