Справочник MOSFET. STD3N80K5

 

STD3N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD3N80K5

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1589K  st
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD3N80K5 60 WDPAKSTF3N80K5 20 W3800 V 3.5 2.5 A21TABSTP3N80K560 WTO-220FPSTU3N80K5TAB TO-220 worldwide bes

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

 9.3. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

Другие MOSFET... STD35NF06T4 , STD35NF3LLT4 , STD35P6LLF6 , STD36NH02L , STD36P4LLF6 , STD38NH02L-1 , STD38NH02LT4 , STD3N40K3 , IRF840 , STD3NK50Z-1 , STD3NK50ZT4 , STD3NK60ZT4 , STD3NK80ZT4 , STD3NK90ZT4 , STD3NM50T4 , STD3NM60N , STD3NM60T4 .

History: BSO300N03S | 2P829J

 

 
Back to Top

 


 
.