Справочник MOSFET. STD3N80K5

 

STD3N80K5 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD3N80K5
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 60 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 14 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STD3N80K5 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1589K  st
std3n80k5 stf3n80k5 stp3n80k5 stu3n80k5.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3N80K5, STF3N80K5, STP3N80K5, STU3N80K5N-channel 800 V, 2.8 typ., 2.5 A Zener-protected SuperMESH 5Power MOSFET in DPAK, TO-220FP, TO-220 and IPAK packagesDatasheet - production dataFeaturesTABOrder codes VDS RDS(on)max ID PTOT31STD3N80K5 60 WDPAKSTF3N80K5 20 W3800 V 3.5 2.5 A21TABSTP3N80K560 WTO-220FPSTU3N80K5TAB TO-220 worldwide bes

 9.1. Size:172K  1
std3n25 std3n25-1 std3n25t4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3N25N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3N25 250 V

 9.2. Size:333K  1
std3n30l std3n30l-1 std3n30lt4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

 9.3. Size:172K  1
std3na50 std3na50-1 std3na50t4.pdfpdf_icon

STD3N80K5

STD3NA50N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTD3NA50 500 V

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: PJP7NA80 | SI7913DN | PSMN7R8-120ES | MC11N005 | NVMFS5C628N | JCS5N50CT | NCEP026N10F

 

 
Back to Top

 


 
.