STD55NH2LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD55NH2LLT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 56 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 385 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.011 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STD55NH2LLT4
STD55NH2LLT4 Datasheet (PDF)
std55nh2llt4.pdf
STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V
std55nh2ll std55nh2ll-1.pdf
STD55NH2LLSTD55NH2LL-1N-channel 24V - 0.010 - 40A - DPAK/IPAKUltra low gate charge STripFET Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD55NH2LL-1 24V
std55n4f5.pdf
STD55N4F5N-channel 40 V, 7.3 m, 40 A, DPAKSTripFET V Power MOSFETFeaturesRDS(on) Type VDSS ID PwmaxSTD55N4F5 40 V
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Liste
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