STD5N20LT4 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

STD5N20LT4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD5N20LT4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

trⓘ - Tiempo de subida: 21.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.7 Ohm

Encapsulados: DPAK

Búsqueda de reemplazo de STD5N20LT4 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

..1. Size:268K st
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STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V

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STD5N20L N-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAK STripFET MOSFET Table 1 General Features Figure 1 Package TYPE VDSS RDS(on) ID Pw STD5N20L 200 V

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7.2. Size:254K st
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STD5N20 N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAK MESH OVERLAY MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD5N20 200 V