Справочник MOSFET. STD5N20LT4

 

STD5N20LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD5N20LT4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD5N20LT4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD5N20LT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:268K  st
std5n20lt4.pdfpdf_icon

STD5N20LT4

STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V

 6.1. Size:283K  st
std5n20l.pdfpdf_icon

STD5N20LT4

STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V

 7.1. Size:152K  1
std5n20 std5n20-1 std5n20t4.pdfpdf_icon

STD5N20LT4

 7.2. Size:254K  st
std5n20.pdfpdf_icon

STD5N20LT4

STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V

Другие MOSFET... STD50NH02L-1 , STD50NH02LT4 , STD52P3LLH6 , STD5406N , STD5406NT4G , STD5407N , STD5407NT4G , STD55NH2LLT4 , 12N60 , STD5N60M2 , STD5N95K5 , STD5NK40Z-1 , STD5NK40ZT4 , STD5NK50Z-1 , STD5NK50ZT4 , STD5NK52ZD-1 , STD5NK60ZT4 .

History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF

 

 
Back to Top

 


 
.