STD5N20LT4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STD5N20LT4
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 21.5 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 44 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.7 Ohm
Тип корпуса: DPAK
Аналог (замена) для STD5N20LT4
STD5N20LT4 Datasheet (PDF)
std5n20lt4.pdf

STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20l.pdf

STD5N20LN-CHANNEL 200V - 0.65 - 5A DPAKSTripFET MOSFETTable 1: General Features Figure 1: PackageTYPE VDSS RDS(on) ID PwSTD5N20L 200 V
std5n20.pdf

STD5N20N-CHANNEL 200V - 0.6 - 5A DPAKMESH OVERLAY MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD5N20 200 V
Другие MOSFET... STD50NH02L-1 , STD50NH02LT4 , STD52P3LLH6 , STD5406N , STD5406NT4G , STD5407N , STD5407NT4G , STD55NH2LLT4 , 12N60 , STD5N60M2 , STD5N95K5 , STD5NK40Z-1 , STD5NK40ZT4 , STD5NK50Z-1 , STD5NK50ZT4 , STD5NK52ZD-1 , STD5NK60ZT4 .
History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF
History: HGN093N12S | FQPF5N50CYDTU | IRFS9N60APBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
2n333 | c3852 | irfp140 | ksc2383 datasheet | 2n3906 equivalent | a733 transistor equivalent | 2n5401 transistor datasheet | 2n2222 data sheet