STD60NF06T4 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD60NF06T4

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 108 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 360 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD60NF06T4 datasheet

 ..1. Size:407K  st
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STD60NF06T4

STD60NF06 N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF06 60V

 ..2. Size:825K  cn vbsemi
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STD60NF06T4

STD60NF06T4 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limi

 5.1. Size:414K  st
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STD60NF06T4

STD60NF06 N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF06 60V

 7.1. Size:327K  st
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STD60NF06T4

STD60NF55LA N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF55LA 55V

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