STD60NF06T4 - аналоги, параметры транзистора - Справочник транзисторов

STD60NF06T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD60NF06T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 108 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 360 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.016 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD60NF06T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

STD60NF06T4 даташит

..1. Size:407K st
std60nf06t4.pdf pdf_icon

STD60NF06 N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF06 60V

..2. Size:825K cn vbsemi
std60nf06t4.pdf pdf_icon

STD60NF06T4 www.VBsemi.tw N-Channel 60 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY 175 C Junction Temperature VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a TrenchFET Power MOSFET 0.012 at VGS = 10 V 50 Material categorization 60 0.013 at VGS = 4.5 V 45 D TO-252 G S G D S N-Channel MOSFET ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25 C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Limi

5.1. Size:414K st
std60nf06.pdf pdf_icon