STD60NF3LLT4 Todos los transistores

 

STD60NF3LLT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD60NF3LLT4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 16 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 635 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD60NF3LLT4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:403K  st
 std60nf3ll std60nf3llt4.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF3LLN-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF3LL 60V

 5.1. Size:1440K  cn vbsemi
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STD60NF3LLT4

STD60NF3Lwww.VBsemi.twN-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU0.005 at VGS = 10 V 8030 31 nC0.006 at VGS = 4.5 V 68APPLICATIONSD OR-ingTO-252 Server DC/DCGG D STop ViewSN-Channel MOSFETABSOL

 7.1. Size:327K  st
 std60nf55la.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF55LAN-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF55LA 55V

 7.2. Size:407K  st
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STD60NF3LLT4

STD60NF06N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD60NF06 60V

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History: APT8024JFLL | IXFN180N10 | ATP107 | IRC644PBF | TK4P60D | IXTP32N65XM | NTD65N03R-035

 

 
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