STD60NF3LLT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD60NF3LLT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 16 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 635 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD60NF3LLT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD60NF3LLT4 даташит

 ..1. Size:403K  st
 std60nf3ll std60nf3llt4.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF3LL N-channel 30V - 0.0075 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF3LL 60V

 5.1. Size:1440K  cn vbsemi
 std60nf3l.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF3L www.VBsemi.tw N-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a, e Qg (Typ) 100 % Rg and UIS Tested Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU 0.005 at VGS = 10 V 80 30 31 nC 0.006 at VGS = 4.5 V 68 APPLICATIONS D OR-ing TO-252 Server DC/DC G G D S Top View S N-Channel MOSFET ABSOL

 7.1. Size:327K  st
 std60nf55la.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF55LA N-channel 55V - 0.012 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF55LA 55V

 7.2. Size:407K  st
 std60nf06t4.pdf pdf_icon

STD60NF3LLT4

STD60NF06 N-channel 60V - 0.014 - 60A - DPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD60NF06 60V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD5NK50Z-1, STD5NK50ZT4, STD5NK52ZD-1, STD5NK60ZT4, STD5NM50T4, STD5NM60-1, STD5NM60T4, STD60NF06T4, AON7410, STD60NF55LT4, STD60NH03L-1, STD60NH03LT4, STD6N60M2, STD6N65M2, STD6N80K5, STD6NF10T4, STD6NK50ZT4