IXFN180N20 Todos los transistores

 

IXFN180N20 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFN180N20
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 180 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 660 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3800 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT227B
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFN180N20 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFN180N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixfn180n20.pdf pdf_icon

IXFN180N20

HiPerFETTMIXFN 180N20 VDSS = 200 VPower MOSFETsID25 = 180 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 10 mWDtrr

 5.1. Size:143K  ixys
 ixfn180n25t.pdf pdf_icon

IXFN180N20

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFN180N25TID25 = 155APower MOSFET RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227Fast Intrinsic DiodeE153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfn180n15p.pdf pdf_icon

IXFN180N20

VDSS = 150 VIXFN 180N15PPolarHTTM HiPerFETID25 = 150 APower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Ratedtrr 200 nsFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

 6.2. Size:84K  ixys
 ixfn180n10.pdf pdf_icon

IXFN180N20

IXFN 180N10 VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 180 APower MOSFETRDS(on) = 8 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSID

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRF530 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


 
.