IXFN180N20 - описание и поиск аналогов

 

IXFN180N20. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXFN180N20

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 3800 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOT227B

Аналог (замена) для IXFN180N20

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN180N20 даташит

 ..1. Size:71K  ixys
 ixfn180n20.pdf pdf_icon

IXFN180N20

HiPerFETTM IXFN 180N20 VDSS = 200 V Power MOSFETs ID25 = 180 A Single Die MOSFET RDS(on) = 10 mW D trr

 5.1. Size:143K  ixys
 ixfn180n25t.pdf pdf_icon

IXFN180N20

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfn180n15p.pdf pdf_icon

IXFN180N20

VDSS = 150 V IXFN 180N15P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 150 A Power MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 V S VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

 6.2. Size:84K  ixys
 ixfn180n10.pdf pdf_icon

IXFN180N20

IXFN 180N10 VDSS = 100 V HiPerFETTM ID25 = 180 A Power MOSFET RDS(on) = 8 m Single MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheet Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 100 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 100 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S ID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN106N20 , IXFN110N20 , IXFN120N20 , IXFN130N30 , IXFN150N15 , IXFN170N10 , IXFN180N07 , IXFN180N10 , IRF830 , IXFN200N07 , IXFN230N10 , IXFN24N100 , IXFN25N90 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 .

History: WMN28N65F2 | SM1A11NSK | AOB2144L

 

 

 

 

↑ Back to Top
.