Справочник MOSFET. IXFN180N20

 

IXFN180N20 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFN180N20
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 700 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 660 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 85 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 3800 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm
   Тип корпуса: SOT227B
 

 Аналог (замена) для IXFN180N20

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFN180N20 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:71K  ixys
 ixfn180n20.pdf pdf_icon

IXFN180N20

HiPerFETTMIXFN 180N20 VDSS = 200 VPower MOSFETsID25 = 180 ASingle Die MOSFET RDS(on) = 10 mWDtrr

 5.1. Size:143K  ixys
 ixfn180n25t.pdf pdf_icon

IXFN180N20

Advance Technical InformationGigaMOSTM VDSS = 250VIXFN180N25TID25 = 155APower MOSFET RDS(on) 12.9m trr 200nsN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOC, SOT-227Fast Intrinsic DiodeE153432SSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 250 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

 6.1. Size:152K  ixys
 ixfn180n15p.pdf pdf_icon

IXFN180N20

VDSS = 150 VIXFN 180N15PPolarHTTM HiPerFETID25 = 150 APower MOSFET RDS(on) 11 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche Ratedtrr 200 nsFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsminiBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25 C to 175 C 150 VSVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 15

 6.2. Size:84K  ixys
 ixfn180n10.pdf pdf_icon

IXFN180N20

IXFN 180N10 VDSS = 100 VHiPerFETTMID25 = 180 APower MOSFETRDS(on) = 8 mSingle MOSFET Die trr 250 ns Preliminary data sheetSymbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN)E153432VDSS TJ = 25C to 150C 100 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 100 VGVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VSID

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXFN106N20 , IXFN110N20 , IXFN120N20 , IXFN130N30 , IXFN150N15 , IXFN170N10 , IXFN180N07 , IXFN180N10 , IRF1405 , IXFN200N07 , IXFN230N10 , IXFN24N100 , IXFN25N90 , IXFN26N90 , IXFN27N80 , IXFN280N07 , IXFN32N60 .

History: FQB55N10 | IRLZ24NS

 

 
Back to Top

 


 
.