STD6NF10T4 Todos los transistores

 

STD6NF10T4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD6NF10T4
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.25 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD6NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  st
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STD6NF10T4

STD6NF10STU6NF10N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAKlow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD6NF10 100 V

 6.1. Size:327K  st
std6nf10 stu6nf10.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10STU6NF10N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAKlow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD6NF10 100 V

 6.2. Size:266K  st
std6nf10.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10N-CHANNEL 100V - 0.22 - 6A IPAK/DPAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD6NF10 100 V

 9.1. Size:344K  1
std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD6N10 100 V

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: WFY4101 | FIR8N65FG

 

 
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