Справочник MOSFET. STD6NF10T4

 

STD6NF10T4 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD6NF10T4
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для STD6NF10T4

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD6NF10T4 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:325K  st
std6nf10t4.pdfpdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10STU6NF10N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAKlow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD6NF10 100 V

 6.1. Size:327K  st
std6nf10 stu6nf10.pdfpdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10STU6NF10N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAKlow gate charge STripFET Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTD6NF10 100 V

 6.2. Size:266K  st
std6nf10.pdfpdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10N-CHANNEL 100V - 0.22 - 6A IPAK/DPAKLOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFETTYPE VDSS RDS(on) IDSTD6NF10 100 V

 9.1. Size:344K  1
std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdfpdf_icon

STD6NF10T4

STD6N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTD6N10 100 V

Другие MOSFET... STD60NF06T4 , STD60NF3LLT4 , STD60NF55LT4 , STD60NH03L-1 , STD60NH03LT4 , STD6N60M2 , STD6N65M2 , STD6N80K5 , IRLB4132 , STD6NK50ZT4 , STD6NM60N , STD6NM60N-1 , STD70N02L , STD70N02L-1 , STD70N03L , STD70N03L-1 , STD70NH02LT4 .

History: DMN4026SSD | AM90N06-03B | STS8217

 

 
Back to Top

 


 
.