STD6NF10T4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD6NF10T4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 10 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.25 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD6NF10T4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD6NF10T4 даташит

 ..1. Size:325K  st
 std6nf10t4.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10 STU6NF10 N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD6NF10 100 V

 6.1. Size:327K  st
 std6nf10 stu6nf10.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10 STU6NF10 N-channel 100 V, 0.22 , 6 A, DPAK, IPAK low gate charge STripFET Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) max ID STD6NF10 100 V

 6.2. Size:266K  st
 std6nf10.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6NF10 N-CHANNEL 100V - 0.22 - 6A IPAK/DPAK LOW GATE CHARGE STripFET POWER MOSFET TYPE VDSS RDS(on) ID STD6NF10 100 V

 9.1. Size:344K  1
 std6n10 std6n10-1 std6n10t4.pdf pdf_icon

STD6NF10T4

STD6N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STD6N10 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD60NF06T4, STD60NF3LLT4, STD60NF55LT4, STD60NH03L-1, STD60NH03LT4, STD6N60M2, STD6N65M2, STD6N80K5, CS150N03A8, STD6NK50ZT4, STD6NM60N, STD6NM60N-1, STD70N02L, STD70N02L-1, STD70N03L, STD70N03L-1, STD70NH02LT4