STD70NH02LT4 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STD70NH02LT4
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 24 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 200 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 545 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: DPAK
Búsqueda de reemplazo de STD70NH02LT4 MOSFET
STD70NH02LT4 Datasheet (PDF)
std70nh02lt4.pdf
STD70NH02LSTD70NH02L-1N-channel 24V - 0.0062 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD70NH02L-1 24V
std70nh02l std70nh02l-1.pdf
STD70NH02LSTD70NH02L-1N-channel 24V - 0.0062 - 60A - DPAK/IPAKSTripFET II Power MOSFETGeneral featuresType VDSS RDS(on) IDSTD70NH02L-1 24V
std70n02l-1 std70n02l.pdf
STD70N02LSTD70N02L-1N-channel 25V - 0.0068 - 60A - DPAK - IPAKSTripFET III Power MOSFETFeaturesType VDSS RDS(on) IDSTD70N02L 25V
stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf
STB70N10F4, STD70N10F4STP70N10F4, STW70N10F4N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATEPower MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAKFeaturesType VDSS RDS(on) max IDSTB70N10F4 100 V
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History: SQJ858EP | NP45N06VUK | 2N5020 | SQJ500AEP | TPCF8301 | TPCC8131
History: SQJ858EP | NP45N06VUK | 2N5020 | SQJ500AEP | TPCF8301 | TPCC8131
Liste
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