STD70NH02LT4. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD70NH02LT4

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 24 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 200 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 545 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD70NH02LT4

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD70NH02LT4 даташит

 ..1. Size:504K  st
 std70nh02lt4.pdf pdf_icon

STD70NH02LT4

STD70NH02L STD70NH02L-1 N-channel 24V - 0.0062 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD70NH02L-1 24V

 4.1. Size:505K  st
 std70nh02l std70nh02l-1.pdf pdf_icon

STD70NH02LT4

STD70NH02L STD70NH02L-1 N-channel 24V - 0.0062 - 60A - DPAK/IPAK STripFET II Power MOSFET General features Type VDSS RDS(on) ID STD70NH02L-1 24V

 8.1. Size:378K  st
 std70n02l-1 std70n02l.pdf pdf_icon

STD70NH02LT4

STD70N02L STD70N02L-1 N-channel 25V - 0.0068 - 60A - DPAK - IPAK STripFET III Power MOSFET Features Type VDSS RDS(on) ID STD70N02L 25V

 8.2. Size:971K  st
 stb70n10f4 std70n10f4 stp70n10f4 stw70n10f4.pdf pdf_icon

STD70NH02LT4

STB70N10F4, STD70N10F4 STP70N10F4, STW70N10F4 N-channel 100 V, 0.015 , 60 A, STripFET DeepGATE Power MOSFET in TO-220, DPAK, TO-247, D2PAK Features Type VDSS RDS(on) max ID STB70N10F4 100 V

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD6NF10T4, STD6NK50ZT4, STD6NM60N, STD6NM60N-1, STD70N02L, STD70N02L-1, STD70N03L, STD70N03L-1, 4N60, STD7ANM60N, STD7N60M2, STD7N65M2, STD7N80K5, STD7NK30Z, STD7NK40Z-1, STD7NK40ZT4, STD7NM50N