STD8NM60N-1 Todos los transistores

 

STD8NM60N-1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD8NM60N-1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 37 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
   Paquete / Cubierta: IPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD8NM60N-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
 stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

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 std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdf pdf_icon

STD8NM60N-1

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

 5.2. Size:698K  st
 stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdf pdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 5.3. Size:700K  st
 stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdf pdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

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History: 2SK1601 | NTD3055-094-1G | AP18P10GI | IRFZ24L | CS15N70F

 

 
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