Справочник MOSFET. STD8NM60N-1

 

STD8NM60N-1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STD8NM60N-1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 37 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: IPAK
 

 Аналог (замена) для STD8NM60N-1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD8NM60N-1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:698K  st
stb8nm60n std8nm60n-1 stf8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 5.1. Size:726K  st
std8nm60nd stf8nm60nd stp8nm60nd stu8nm60nd.pdfpdf_icon

STD8NM60N-1

STD8NM60ND, STF8NM60NDSTP8NM60ND, STU8NM60NDN-channel 600 V, 0.59 , 7 A, FDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STD8NM60ND 650 V

 5.2. Size:698K  st
stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n stp8nm60n.pdfpdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

 5.3. Size:700K  st
stp8nm60n stf8nm60n std8nm60n stb8nm60n.pdfpdf_icon

STD8NM60N-1

STx8NM60NN-channel 600 V, 0.56 ,7 A MDmesh II Power MOSFETTO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK, D2PAKFeaturesVDSS RDS(on) Type ID3(@Tjmax) max2132STB8NM60N 650 V

Другие MOSFET... STD7NM64N , STD7NS20-1 , STD7NS20T4 , STD80N10F7 , STD80N4F6 , STD80N6F6 , STD8N80K5 , STD8NF25 , IRF520 , STD90N02L , STD90N02L-1 , STD90NH02LT4 , STD95N04 , STD95NH02LT4 , STD96N3LLH6 , STD9HN65M2 , STD9N40M2 .

History: AP80SL650AI

 

 
Back to Top

 


 
.