STD9NM40N Todos los transistores

 

STD9NM40N MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STD9NM40N
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 60 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 30 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

STD9NM40N Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1072K  st
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STD9NM40N

STD9NM40N, STP9NM40NN-channel 400 V, 0.73 typ., 5.6 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM40NTAB450 V

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 std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STD9NM40N

STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V

 8.2. Size:963K  st
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STD9NM40N

STD9NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAKFeaturesOrder code VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM50N 550 V

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 std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM40N

STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A | AP98T03GP-HF

 

 
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