STD9NM40N MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: STD9NM40N
Маркировка: 9NM40N
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 60 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 25 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5.6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 14 nC
Время нарастания (tr): 4.4 ns
Выходная емкость (Cd): 30 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.79 Ohm
Тип корпуса: DPAK
STD9NM40N Datasheet (PDF)
std9nm40n.pdf
STD9NM40N, STP9NM40NN-channel 400 V, 0.73 typ., 5.6 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK and TO-220 packagesDatasheet production dataFeaturesOrder codes VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM40NTAB450 V
std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf
STD9NM60NSTF9NM60N, STP9NM60NN-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAKMDmesh II Power MOSFETFeaturesVDSS RDS(on) Order codes ID(@Tjmax) max.33221STD9NM60N1TO-220FP TO-220STF9NM60N 650 V
std9nm50n.pdf
STD9NM50NN-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmeshII Power MOSFETin DPAKFeaturesOrder code VDSS@TJMAX RDS(on)max. IDSTD9NM50N 550 V
std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf
STD9NM50N - STD9NM50N-1STF9NM50N - STP9NM50NN-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAKSecond generation MDmesh Power MOSFETFeaturesVDSS Type RDS(on) ID(@Tjmax)323STD9NM50N 550V
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , AON7410 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
