STD9NM50N-1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STD9NM50N-1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 45 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 33 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.79 Ohm

Encapsulados: DPAK

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STD9NM50N-1 datasheet

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 std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM50N-1

STD9NM50N - STD9NM50N-1 STF9NM50N - STP9NM50N N-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 3 STD9NM50N 550V

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STD9NM50N-1

STD9NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK Features Order code VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID STD9NM50N 550 V

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STD9NM50N-1

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

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STD9NM50N-1

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