STD9NM50N-1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: STD9NM50N-1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 45 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.4 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 33 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.79 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для STD9NM50N-1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STD9NM50N-1 даташит

 ..1. Size:485K  st
 std9nm50n std9nm50n-1 stp9nm50n stf9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM50N-1

STD9NM50N - STD9NM50N-1 STF9NM50N - STP9NM50N N-channel 500V - 0.47 - 7.5A - TO-220 - TO-220FP - IPAK - DPAK Second generation MDmesh Power MOSFET Features VDSS Type RDS(on) ID (@Tjmax) 3 2 3 STD9NM50N 550V

 5.1. Size:963K  st
 std9nm50n.pdf pdf_icon

STD9NM50N-1

STD9NM50N N-channel 500 V, 0.73 , 5 A MDmesh II Power MOSFET in DPAK Features Order code VDSS@TJMAX RDS(on)max. ID STD9NM50N 550 V

 8.1. Size:896K  st
 std9nm60n stf9nm60n stp9nm60n.pdf pdf_icon

STD9NM50N-1

STD9NM60N STF9NM60N, STP9NM60N N-channel 600 V, 0.63 , 6.5 A TO-220, TO-220FP, DPAK MDmesh II Power MOSFET Features VDSS RDS(on) Order codes ID (@Tjmax) max. 3 3 2 2 1 STD9NM60N 1 TO-220FP TO-220 STF9NM60N 650 V

 8.2. Size:1072K  st
 std9nm40n.pdf pdf_icon

STD9NM50N-1

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STD95N04, STD95NH02LT4, STD96N3LLH6, STD9HN65M2, STD9N40M2, STD9N60M2, STD9N65M2, STD9NM40N, AON7403, STE139N65M5, STE145N65M5, STE88N65M5, STF100N10F7, STF10N105K5, STF10N60M2, STF10N80K5, STF10N95K5