STE145N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STE145N65M5
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 679 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 143 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 413 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
Paquete / Cubierta: ISOTOP
Búsqueda de reemplazo de STE145N65M5 MOSFET
STE145N65M5 Datasheet (PDF)
ste145n65m5.pdf
STE145N65M5N-channel 650 V, 0.012 typ., 143 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE145N65M5 710 V 0.015 143 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capabilityISOTOP Excellent switching performance 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch
ste140nf20d.pdf
STE140NF20DN-channel 200 V, 0.010 , 140 A, ISOTOPSTripFET II with fast recovery diode Power MOSFETFeatures Type VDSS RDS(on) max IDSTE140NF20D 200 V
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History: 2SK246 | AP9468GS
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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