STE145N65M5 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: STE145N65M5
   Código: 145N65M5
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 679 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 143 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 414 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 413 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.015 Ohm
   Paquete / Cubierta: ISOTOP

Búsqueda de reemplazo de MOSFET STE145N65M5

STE145N65M5 Datasheet (PDF)

..1. Size:944K st
ste145n65m5.pdf

STE145N65M5N-channel 650 V, 0.012 typ., 143 A, MDmesh V Power MOSFET in a ISOTOP packageDatasheet - preliminary dataFeatures Order code VDS @Tjmax RDS(on) max IDSTE145N65M5 710 V 0.015 143 A Very low RDS(on) Higher VDSS rating Higher dv/dt capabilityISOTOP Excellent switching performance 100% avalanche testedApplicationsFigure 1. Internal sch

9.1. Size:620K st
ste140nf20d.pdf