IRFU9010PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU9010PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 50 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IRFU9010PBF datasheet

 ..1. Size:552K  international rectifier
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IRFU9010PBF

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IRFU9010PBF

 6.2. Size:1365K  vishay
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IRFU9010PBF

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 50 Surface Mountable (Order as IRFR9010, SiHFR9010) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead Option (Order as IRFU9010, SiHFU9010) Repetitive Avalanche Ratings Qg (Max.) (nC) 9.1 Dynamic dV/dt Rating Q

 7.1. Size:33K  1
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IRFU9010PBF

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