IRFU9010PBF Todos los transistores

 

IRFU9010PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFU9010PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 47 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-251
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFU9010PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:552K  international rectifier
irfu9010pbf.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

 6.2. Size:1365K  vishay
irfr9010 irfu9010 sihfr9010 sihfu9010.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21DefinitionVDS (V) - 50 Surface Mountable (Order as IRFR9010, SiHFR9010)RDS(on) ()VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead Option (Order as IRFU9010, SiHFU9010) Repetitive Avalanche Ratings Qg (Max.) (nC) 9.1 Dynamic dV/dt RatingQ

 7.1. Size:33K  1
irfu015 irfu411 irfu9015.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

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History: STP33N65M2 | STP55N06L

 

 
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