IRFU9010PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU9010PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 6.1 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 47 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.5 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU9010PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU9010PBF даташит

 ..1. Size:552K  international rectifier
 irfu9010pbf.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

 6.1. Size:550K  1
 irfr9010 irfr9012 irfu9010 irfu9012.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

 6.2. Size:1365K  vishay
 irfr9010 irfu9010 sihfr9010 sihfu9010.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

IRFR9010, IRFU9010, SiHFR9010, SiHFU9010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition VDS (V) - 50 Surface Mountable (Order as IRFR9010, SiHFR9010) RDS(on) ( )VGS = - 10 V 0.50 Straight Lead Option (Order as IRFU9010, SiHFU9010) Repetitive Avalanche Ratings Qg (Max.) (nC) 9.1 Dynamic dV/dt Rating Q

 7.1. Size:33K  1
 irfu015 irfu411 irfu9015.pdf pdf_icon

IRFU9010PBF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... STF11N65M5, STF11NM60N, STF11NM65N, IRFU540Z, IRFU540ZPBF, IRFU5410PBF, IRFU5505PBF, IRFU6215PBF, IRF640, IRFU9014PBF, IRFU9020PBF, IRFU9024NPBF, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF, IRFU9120NPBF, IRFU9120PBF, IRFU9210PBF