IRFU9024NPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU9024NPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 38 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 55 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 170 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.175 Ohm

Encapsulados: TO-251

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IRFU9024NPBF datasheet

 ..1. Size:1384K  international rectifier
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IRFU9024NPBF

PD - 95015A IRFR9024NPbF IRFU9024NPbF Lead-Free www.irf.com 1 12/14/04 IRFR/U9024NPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 5.1. Size:1347K  1
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IRFU9024NPBF

PD - 96048 IRFR9024NCPbF IRFU9024NCPbF (IRFR9024NCPbF) (IRFU9024NCPbF) Lead-Free www.irf.com 1 05/31/06 IRFR/U9024NCPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NCPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NCPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc

 5.2. Size:529K  infineon
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IRFU9024NPBF

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian

 5.3. Size:260K  inchange semiconductor
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IRFU9024NPBF

isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU9024N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 175m (@V = -10V; I = -6.6A) GS D Advanced trench process technology 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Fast switching application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

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