IRFU9024NPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IRFU9024NPBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm
Тип корпуса: TO-251
Аналог (замена) для IRFU9024NPBF
IRFU9024NPBF Datasheet (PDF)
irfr9024npbf irfu9024npbf.pdf

PD - 95015AIRFR9024NPbFIRFU9024NPbF Lead-Freewww.irf.com 112/14/04IRFR/U9024NPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In
irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdf

PD - 96048IRFR9024NCPbFIRFU9024NCPbF(IRFR9024NCPbF)(IRFU9024NCPbF) Lead-Freewww.irf.com 105/31/06IRFR/U9024NCPbF2 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 3IRFR/U9024NCPbF4 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFwww.irf.com 5IRFR/U9024NCPbF6 www.irf.comIRFR/U9024NCPbFPeak Diode Recovery dv/dt Test Circuit+Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc
auirfr9024n auirfu9024n.pdf

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian
irfu9024n.pdf

isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU9024NFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)175m(@V = -10V; I = -6.6A)GS DAdvanced trench process technology100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSFast switching application.ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VA
Другие MOSFET... IRFU540Z , IRFU540ZPBF , IRFU5410PBF , IRFU5505PBF , IRFU6215PBF , IRFU9010PBF , IRFU9014PBF , IRFU9020PBF , IRF640N , IRFU9024PBF , IRFU9110PBF , IRFU9120NPBF , IRFU9120PBF , IRFU9210PBF , IRFU9220PBF , IRFU9310PBF , IRFU9N20DPBF .
History: IXFX27N80Q | HGN320N20SL | CEP75N10 | IXTQ180N085T | BSC026NE2LS5 | 2SJ605 | LP2501DT1G
History: IXFX27N80Q | HGN320N20SL | CEP75N10 | IXTQ180N085T | BSC026NE2LS5 | 2SJ605 | LP2501DT1G



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
mp38 transistor | 2sc2389 | b331 transistor | 2sa720 | 2sc1345 | 2sd555 | a950 transistor | k2611