IRFU9024NPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU9024NPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 38 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

|VGSth|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V

Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC

tr ⓘ - Время нарастания: 55 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 170 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.175 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU9024NPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU9024NPBF даташит

 ..1. Size:1384K  international rectifier
irfr9024npbf irfu9024npbf.pdfpdf_icon

IRFU9024NPBF

PD - 95015A IRFR9024NPbF IRFU9024NPbF Lead-Free www.irf.com 1 12/14/04 IRFR/U9024NPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductance Ground Plane Low Leakage In

 5.1. Size:1347K  1
irfr9024ncpbf irfu9024ncpbf.pdfpdf_icon

IRFU9024NPBF

PD - 96048 IRFR9024NCPbF IRFU9024NCPbF (IRFR9024NCPbF) (IRFU9024NCPbF) Lead-Free www.irf.com 1 05/31/06 IRFR/U9024NCPbF 2 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 3 IRFR/U9024NCPbF 4 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF www.irf.com 5 IRFR/U9024NCPbF 6 www.irf.com IRFR/U9024NCPbF Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit + Circuit Layout Considerations Low Stray Inductanc

 5.2. Size:529K  infineon
auirfr9024n auirfu9024n.pdfpdf_icon

IRFU9024NPBF

AUIRFR9024N AUTOMOTIVE GRADE AUIRFU9024N Features HEXFET Power MOSFET Advanced Planar Technology VDSS -55V Low On-Resistance P-Channel RDS(on) max. 0.175 Dynamic dv/dt Rating ID -11A 150 C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax D D Lead-Free, RoHS Complian

 5.3. Size:260K  inchange semiconductor
irfu9024n.pdfpdf_icon

IRFU9024NPBF

isc P-Channel MOSFET Transistor IRFU9024N FEATURES Static drain-source on-resistance RDS(on) 175m (@V = -10V; I = -6.6A) GS D Advanced trench process technology 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Fast switching application. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VA

Другие IGBT... IRFU540Z, IRFU540ZPBF, IRFU5410PBF, IRFU5505PBF, IRFU6215PBF, IRFU9010PBF, IRFU9014PBF, IRFU9020PBF, IRFB4110, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF, IRFU9120NPBF, IRFU9120PBF, IRFU9210PBF, IRFU9220PBF, IRFU9310PBF, IRFU9N20DPBF