IRFU9N20DPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFU9N20DPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 86 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.38 Ohm

Encapsulados: TO-251

 Búsqueda de reemplazo de IRFU9N20DPBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFU9N20DPBF datasheet

 ..1. Size:226K  international rectifier
irfr9n20dpbf irfu9n20dpbf.pdf pdf_icon

IRFU9N20DPBF

PD - 95376A IRFR9N20DPbF SMPS MOSFET IRFU9N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters l Lead-Free 200V 0.38 9.4A Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cu

 5.1. Size:261K  inchange semiconductor
irfu9n20d.pdf pdf_icon

IRFU9N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU9N20D FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 9.1. Size:33K  1
irfu015 irfu411 irfu9015.pdf pdf_icon

IRFU9N20DPBF

Otros transistores... IRFU9024NPBF, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF, IRFU9120NPBF, IRFU9120PBF, IRFU9210PBF, IRFU9220PBF, IRFU9310PBF, IRFB4115, IRFUC20PBF, IRFY044CM, IRFY044M, IRFY110, IRFY110C, IRFY11N50CMA, IRFY130CM, IRFY130M