IRFU9N20DPBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFU9N20DPBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 86 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 16 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.38 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для IRFU9N20DPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFU9N20DPBF даташит

 ..1. Size:226K  international rectifier
irfr9n20dpbf irfu9n20dpbf.pdfpdf_icon

IRFU9N20DPBF

PD - 95376A IRFR9N20DPbF SMPS MOSFET IRFU9N20DPbF HEXFET Power MOSFET Applications VDSS RDS(on) max ID l High frequency DC-DC converters l Lead-Free 200V 0.38 9.4A Benefits l Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses l Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, (See App. Note AN1001) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Cu

 5.1. Size:261K  inchange semiconductor
irfu9n20d.pdfpdf_icon

IRFU9N20DPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFU9N20D FEATURES With TO-251(IPAK) packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE U

 9.1. Size:33K  1
irfu015 irfu411 irfu9015.pdfpdf_icon

IRFU9N20DPBF

 9.2. Size:298K  1
irfr9120 irfr9121 irfu9120 irfu9121.pdfpdf_icon

IRFU9N20DPBF

Другие IGBT... IRFU9024NPBF, IRFU9024PBF, IRFU9110PBF, IRFU9120NPBF, IRFU9120PBF, IRFU9210PBF, IRFU9220PBF, IRFU9310PBF, IRFB4115, IRFUC20PBF, IRFY044CM, IRFY044M, IRFY110, IRFY110C, IRFY11N50CMA, IRFY130CM, IRFY130M