IRFY044CM Todos los transistores

 

IRFY044CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFY044CM
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 16 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 130 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AA
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFY044CM MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFY044CM Datasheet (PDF)

 ..1. Size:156K  international rectifier
 irfy044cm.pdf pdf_icon

IRFY044CM

PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver

 6.1. Size:158K  international rectifier
 irfy044c.pdf pdf_icon

IRFY044CM

PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver

 7.1. Size:156K  international rectifier
 irfy044m.pdf pdf_icon

IRFY044CM

PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-

 7.2. Size:157K  international rectifier
 irfy044.pdf pdf_icon

IRFY044CM

PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFU9110PBF , IRFU9120NPBF , IRFU9120PBF , IRFU9210PBF , IRFU9220PBF , IRFU9310PBF , IRFU9N20DPBF , IRFUC20PBF , IRFB4115 , IRFY044M , IRFY110 , IRFY110C , IRFY11N50CMA , IRFY130CM , IRFY130M , IRFY140CM , IRFY140M .

History: IPD031N03L

 

 
Back to Top

 


 
.