IRFY044CM - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFY044CM
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 100 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 130 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1100 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
Тип корпуса: TO-257AA
Аналог (замена) для IRFY044CM
IRFY044CM Datasheet (PDF)
irfy044cm.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044c.pdf
PD - 91285DIRFY044C,IRFY044CMPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044C 0.040 16*A CeramicIRFY044CM 0.040 16*A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves ver
irfy044m.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
irfy044.pdf
PD - 94181IRFY044,IRFY044MPOWER MOSFET60V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-257AA)Product SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY044 0.040 16*A GlassIRFY044M 0.040 16*A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-
Другие MOSFET... IRFU9110PBF , IRFU9120NPBF , IRFU9120PBF , IRFU9210PBF , IRFU9220PBF , IRFU9310PBF , IRFU9N20DPBF , IRFUC20PBF , P55NF06 , IRFY044M , IRFY110 , IRFY110C , IRFY11N50CMA , IRFY130CM , IRFY130M , IRFY140CM , IRFY140M .
History: IPD60R3K3C6
History: IPD60R3K3C6
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM60P20R | AGM60P20D | AGM60P20AP | AGM60P14D | AGM60P14AP | AGM60P14A | AGM60P100A | AGM60P06S | AGM609S | AGM609MNA | AGM609F | AGM609D | AGM609C | AGM609AP | AGM40P26S | AGM40P26E
Popular searches
c4467 | c2383 transistor | 2n3055 equivalent | s9015 datasheet | 2n6488 | 30j127 datasheet | 2sc1116a | 2sc460





