IRFY430CM MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFY430CM
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.5 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 VQgⓘ - Carga de la puerta: 29.5 nC
trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 135 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-257AA
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFY430CM
IRFY430CM Datasheet (PDF)
irfy430cm.pdf
PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo
irfy430c.pdf
PD - 91291CIRFY430C,IRFY430CMPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430C 1.5 4.5A CeramicIRFY430CM 1.5 4.5A CeramicHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very lo
irfy430.pdf
PD - 94191IRFY430,IRFY430MPOWER MOSFET500V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-257AA) HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) ID EyeletsIRFY430 1.5 4.5A GlassIRFY430M 1.5 4.5A GlassHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. TheTO-257AAefficient geometry design achieves very low on-stat
irfy430m.pdf
N-CHANNEL POWER MOSFET IRFY430 / IRFY430M BVDSS = 500V, MOSFET Transistor In A Hermetic Metal TO-257AB Package Designed For Switching, Power Supply, Motor Control and Amplifier Applications Screening Options Available ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = 25C unless otherwise stated) VDS Drain Source Voltage 500V VGS Gate Source Voltage 20V ID Tc = 25C
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
Liste
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