IRFY540 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFY540

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm

Encapsulados: TO-257AB

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IRFY540 datasheet

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IRFY540

IRFY540 Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET in 10.6 (0.42) 4.6 (0.18) 0.8 a Hermetically sealed (0.03) TO257AB Metal Package. 3.70 Dia. Nom 1 2 3 VDSS = 100V ID = 18A RDS(ON) = 0.092 All Semelab hermetically sealed products can be 1.0 processed in accordance with the requirements 2.54 (0.1) (0.039) BSC 2.70 of BS, CECC and JAN, JANTX, J

Otros transistores... IRFY340CM, IRFY340M, IRFY420, IRFY420C, IRFY430CM, IRFY430M, IRFY440CM, IRFY440-T257, STP80NF70, IRFY9130CM, IRFY9130M, IRFY9140CM, IRFY9140M, IRFY9140X, IRFY9230, IRFY9240CM, IRFY9240M