IRFY540 Todos los transistores

 

IRFY540 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFY540
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AB
 

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IRFY540 Datasheet (PDF)

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IRFY540

IRFY540Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET in 10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8a Hermetically sealed (0.03)TO257AB Metal Package. 3.70 Dia. Nom 1 2 3VDSS = 100V ID = 18A RDS(ON) = 0.092 All Semelab hermetically sealed products can be 1.0 processed in accordance with the requirements 2.54 (0.1)(0.039)BSC2.70 of BS, CECC and JAN, JANTX, J

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History: AP9918GH | KP750V1 | 2SK1871

 

 
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