IRFY540 Todos los transistores

 

IRFY540 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFY540
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Qgⓘ - Carga de la puerta: 59 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 145 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-257AB

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFY540

 

IRFY540 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:11K  semelab
irfy540.pdf

IRFY540

IRFY540Dimensions in mm (inches). N-Channel MOSFET in 10.6 (0.42)4.6 (0.18)0.8a Hermetically sealed (0.03)TO257AB Metal Package. 3.70 Dia. Nom 1 2 3VDSS = 100V ID = 18A RDS(ON) = 0.092 All Semelab hermetically sealed products can be 1.0 processed in accordance with the requirements 2.54 (0.1)(0.039)BSC2.70 of BS, CECC and JAN, JANTX, J

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top

 


IRFY540
  IRFY540
  IRFY540
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918

 

 

 
Back to Top