IRFZ14SPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFZ14SPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 43 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 11 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 50 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFZ14SPBF

IRFZ14SPBF Datasheet (PDF)

..1. Size:324K vishay
irfz14l irfz14s irfz14spbf sihfz14l sihfz14s.pdf

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S)Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1 Fast Sw

7.1. Size:234K international rectifier
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PD - 9.890AIRFZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ14S) Low-profile through-hole (IRFZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20 Fast SwitchingGID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

7.2. Size:185K international rectifier
irfz14s-l.pdf

7.3. Size:333K vishay
irfz14s irfz14l sihfz14s sihfz14l.pdf

7.4. Size:376K vishay
irfz14s sihfz14s sihfz14l.pdf

IRFZ14S, SiHFZ14S, SiHFZ14Lwww.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESD Advanced process technology Surface-mount (IRFZ14S, SiHFZ14S)I2PAK (TO-262)D2PAK (TO-263) Low profile through-hole (SiHFZ14L) Available 175 C operating temperature Fast switchingAvailableG Material categorization: for definitions ofcompliance please see www.vishay.c

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