IRFZ14SPBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFZ14SPBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO-263

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFZ14SPBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ14SPBF даташит

 ..1. Size:324K  vishay
 irfz14l irfz14s irfz14spbf sihfz14l sihfz14s.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw

 7.1. Size:234K  international rectifier
 irfz14s.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

PD - 9.890A IRFZ14S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRFZ14S) Low-profile through-hole (IRFZ14L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.20 Fast Switching G ID = 10A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 7.2. Size:185K  international rectifier
 irfz14s-l.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

PD - 9.890A IRFZ14S/L HEXFET Power MOSFET Advanced Process Technology D VDSS = 60V Surface Mount (IRFZ14S) Low-profile through-hole (IRFZ14L) 175 C Operating Temperature RDS(on) = 0.20 Fast Switching G ID = 10A S Description Third Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon a

 7.3. Size:333K  vishay
 irfz14s irfz14l sihfz14s sihfz14l.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14L Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) 60 Definition Advanced Process Technology RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S) Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating Temperature Qgs (nC) 3.1 Fast Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFY9230, IRFY9240CM, IRFY9240M, IRFY9310F, IRFZ10PBF, IRFZ14L, IRFZ14PBF, IRFZ14S, STP65NF06, IRFZ20PBF, IRFZ24L, IRFZ24NPBF, IRFZ24NSPBF, IRFZ24PBF, IRFZ24S, IRFZ24SPBF, IRFZ30PBF