Справочник MOSFET. IRFZ14SPBF

 

IRFZ14SPBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFZ14SPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 50 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 160 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IRFZ14SPBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFZ14SPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:324K  vishay
 irfz14l irfz14s irfz14spbf sihfz14l sihfz14s.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S)Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1 Fast Sw

 7.1. Size:234K  international rectifier
 irfz14s.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

PD - 9.890AIRFZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ14S) Low-profile through-hole (IRFZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20 Fast SwitchingGID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 7.2. Size:185K  international rectifier
 irfz14s-l.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

PD - 9.890AIRFZ14S/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 60V Surface Mount (IRFZ14S) Low-profile through-hole (IRFZ14L) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.20 Fast SwitchingGID = 10ASDescriptionThird Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely low on-resistance per silicon a

 7.3. Size:333K  vishay
 irfz14s irfz14l sihfz14s sihfz14l.pdf pdf_icon

IRFZ14SPBF

IRFZ14S, IRFZ14L, SiHFZ14S, SiHFZ14LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) 60 Definition Advanced Process TechnologyRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Surface Mount (IRFZ14S, SiHFZ14S)Qg (Max.) (nC) 11 Low-Profile Through-Hole (IRFZ14L, SiHFZ14L) 175 C Operating TemperatureQgs (nC) 3.1 Fast Sw

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFY9230 , IRFY9240CM , IRFY9240M , IRFY9310F , IRFZ10PBF , IRFZ14L , IRFZ14PBF , IRFZ14S , 75N75 , IRFZ20PBF , IRFZ24L , IRFZ24NPBF , IRFZ24NSPBF , IRFZ24PBF , IRFZ24S , IRFZ24SPBF , IRFZ30PBF .

History: FXN7N65D | FXN4625F

 

 
Back to Top

 


 
.