IRFZ34NSPBF Todos los transistores

 

IRFZ34NSPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFZ34NSPBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 68 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.04 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

 Búsqueda de reemplazo de IRFZ34NSPBF MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IRFZ34NSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irfz34nspbf irfz34nlpbf.pdf pdf_icon

IRFZ34NSPBF

PD - 95571IRFZ34NSPbFIRFZ34NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFZ34NS)l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) DVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.040l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 29ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tech

 ..2. Size:296K  international rectifier
 irfz34nlpbf irfz34nspbf.pdf pdf_icon

IRFZ34NSPBF

PD - 95571IRFZ34NSPbFIRFZ34NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFZ34NS)l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) DVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.040l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 29ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tech

 6.1. Size:161K  international rectifier
 irfz34ns.pdf pdf_icon

IRFZ34NSPBF

PD - 9.1311AIRFZ34NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRFZ34NS) Low-profile through-hole (IRFZ34NL) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 29ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely lo

 6.2. Size:1177K  cn vbsemi
 irfz34nstr.pdf pdf_icon

IRFZ34NSPBF

IRFZ34NSTRwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.023 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel0.027 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Di

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... IRFZ24PBF , IRFZ24S , IRFZ24SPBF , IRFZ30PBF , IRFZ34EPBF , IRFZ34L , IRFZ34NLPBF , IRFZ34NPBF , NCEP15T14 , IRFZ34PBF , IRFZ34S , IRFZ40PBF , IRFZ44EPBF , IRFZ44ESPBF , IRFZ44L , IRFZ44NLPBF , IRFZ44NPBF .

 

 
Back to Top

 


 
.