Справочник MOSFET. IRFZ34NSPBF

 

IRFZ34NSPBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFZ34NSPBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 68 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 55 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 29 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.04 Ohm
   Тип корпуса: TO-263

 Аналог (замена) для IRFZ34NSPBF

 

 

IRFZ34NSPBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:296K  international rectifier
 irfz34nlpbf irfz34nspbf.pdf

IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF

PD - 95571IRFZ34NSPbFIRFZ34NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFZ34NS)l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) DVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.040l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 29ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tech

 ..2. Size:296K  infineon
 irfz34nspbf irfz34nlpbf.pdf

IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF

PD - 95571IRFZ34NSPbFIRFZ34NLPbFl Advanced Process TechnologyHEXFET Power MOSFETl Surface Mount (IRFZ34NS)l Low-profile through-hole (IRFZ34NL) DVDSS = 55Vl 175C Operating Temperaturel Fast SwitchingRDS(on) = 0.040l Fully Avalanche RatedGl Lead-FreeID = 29ADescriptionSFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing tech

 6.1. Size:161K  international rectifier
 irfz34ns.pdf

IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF

PD - 9.1311AIRFZ34NS/LHEXFET Power MOSFET Advanced Process TechnologyDVDSS = 55V Surface Mount (IRFZ34NS) Low-profile through-hole (IRFZ34NL) 175C Operating Temperature RDS(on) = 0.040 Fast SwitchingG Fully Avalanche RatedID = 29ASDescriptionFifth Generation HEXFETs from International Rectifierutilize advanced processing techniques to achieveextremely lo

 6.2. Size:1177K  cn vbsemi
 irfz34nstr.pdf

IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF

IRFZ34NSTRwww.VBsemi.twN-Channel 60 V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A)a, e Qg (Max)Definition Surface Mount0.023 at VGS = 10 V 5060 66 nC Available in Tape and Reel0.027 at VGS = 4.5 V40 Dynamic dV/dt Rating Logic-Level Gate Drive Fast Switching Compliant to RoHS Di

 6.3. Size:258K  inchange semiconductor
 irfz34ns.pdf

IRFZ34NSPBF IRFZ34NSPBF

isc N-Channel MOSFET Transistor IRFZ34NSFEATURESWith TO-263( D2PAK ) packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aS

Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .

 

 
Back to Top