IRHF57230 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHF57230
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 100 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 187 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHF57230

IRHF57230 Datasheet (PDF)

..1. Size:129K international rectifier
irhf57230.pdf

PD - 93788ARADIATION HARDENED IRHF57230POWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230 100K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF53230 300K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF54230 600K Rads (Si) 0.22 7.3A IRHF58230 1000K Rads (Si) 0.275 7.3ATO-39International Rectifiers R5TM technology provides

0.1. Size:127K international rectifier
irhf57230se.pdf

PD - 93857ARADIATION HARDENED IRHF57230SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39)TECHNOLOGY44# cProduct Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57230SE 100K Rads (Si) 0.24 7.0ATO-39International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for space appli-Features:cations. These devices have been characterized for Si

6.1. Size:187K international rectifier
irhf57234se.pdf

PD-93831BRADIATION HARDENED IRHF57234SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57234SE 100K Rads (Si) 0.42 5.2ATO-39International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for spaceapplications. These devices have been characterizedFeatures:for Single

7.1. Size:216K international rectifier
irhf57214se.pdf

PD-97063ARADIATION HARDENED IRHF57214SEPOWER MOSFET 250V, N-CHANNELTHRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF57214SE 100K Rads (Si) 1.55 2.2ATO-39International Rectifiers R5TM technology provideshigh performance power MOSFETs for spaceapplications. These devices have been characterizedFeatures:for Single

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Liste

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