IRHF597110 Todos los transistores

 

IRHF597110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRHF597110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 15 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 100 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 2.6 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 11 nC

Tiempo de elevación (tr): 20 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 100 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1 Ohm

Empaquetado / Estuche: TO-39

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHF597110

 

IRHF597110 Datasheet (PDF)

1.1. irhf597110.pdf Size:131K _update

IRHF597110
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PD - 94176C RADIATION HARDENED IRHF597110 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4 # c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597110 100K Rads (Si) 1.0Ω -2.6A IRHF593110 300K Rads (Si) 1.0Ω -2.6A TO-39 International Rectifier’s R5TM technology provides Features: high performance power MOSFETs for space appli- Single Event Eff

1.2. irhf597110.pdf Size:129K _international_rectifier

IRHF597110
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PD - 94176B RADIATION HARDENED IRHF597110 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 4 4# c Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597110 100K Rads (Si) 1.0? -2.6A IRHF593110 300K Rads (Si) 1.0? -2.6A TO-39 International Rectifiers R5TM technology provides Features: high performance power MOSFETs for space appli- Single Event Effect (SEE)

 2.1. irhf597130.pdf Size:203K _update

IRHF597110
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PD-96963 RADIATION HARDENED IRHF597130 POWER MOSFET 100V, P-CHANNEL THRU-HOLE (TO-39) TECHNOLOGY 5 5 ™ Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHF597130 100K Rads (Si) 0.24Ω -6.7A IRHF593130 300K Rads (Si) 0.24Ω -6.7A TO-39 International Rectifier’s R5TM technology provides Features: high performance power MOSFETs for space appli- n Single Event

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