IXFN44N80 Todos los transistores

 

IXFN44N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFN44N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 700 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 44 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 48 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.165 Ohm

Encapsulados: SOT227B

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IXFN44N80 datasheet

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IXFN44N80

IXFN 44N80 VDSS = 800 V HiPerFETTM ID25 = 44 A Power MOSFETs RDS(on) = 0.165 Single MOSFET Die D N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B (IXFN) VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 V E153432 S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 V G VGS Continuous 20 V VGSM Tran

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IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

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IXFN44N80

HiPerFETTM IXFN 44N60 VDSS = 600 V Power MOSFETs ID25 = 44 A Single Die MOSFET RDS(on) = 130 mW D trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode G Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr S S Symbol Test Conditions Maximum Ratings miniBLOC, SOT-227 B E153432 VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 MW 600 V G VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V S I

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ixfk44n50 ixfn44n50 ixfk48n50 ixfn48n50.pdf pdf_icon

IXFN44N80

VDSS ID25 RDS(on) HiPerFETTM IXFK / IXFN 44 N50 500 V 44 A 0.12 Power MOSFETs IXFK / IXFN 48 N50 500 V 48 A 0.10 trr 250 ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low trr TO-264 AA Symbol Test Conditions Maximum Ratings (IXFK) IXFK IXFN VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 500 V VDGR TJ = 25 C

Otros transistores... IXFN34N80 , IXFN36N100 , IXFN36N60 , IXFN39N90 , IXFN44N50 , IXFN44N50U2 , IXFN44N50U3 , IXFN44N60 , IRF840 , IXFN48N50 , IXFN48N50U3 , IXFN50N50 , IXFN55N50 , IXFN60N60 , IXFN73N30 , IXFN80N50 , IXFN90N30 .

History: IXFN48N50U3

 

 

 

 

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